RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2191
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link