RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2487
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link