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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2487
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
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