RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Porównaj
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
95
Wokół strony -102% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
3.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
95
47
Prędkość odczytu, GB/s
4.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
3.1
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
635
1413
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link