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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
95
Por volta de -102% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.3
4.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.9
3.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
95
47
Velocidade de leitura, GB/s
4.2
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
3.1
5.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
635
1413
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
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