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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Confronto
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
95
Intorno -102% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
4.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
3.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
95
47
Velocità di lettura, GB/s
4.2
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
3.1
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
635
1413
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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