ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

总分
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

总分
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

差异

  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    47 left arrow 95
    左右 -102% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    9.3 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    5.9 left arrow 3.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    95 left arrow 47
  • 读取速度,GB/s
    4.2 left arrow 9.3
  • 写入速度,GB/s
    3.1 left arrow 5.9
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    635 left arrow 1413
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