ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Gesamtnote
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Unterschiede

  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    47 left arrow 95
    Rund um -102% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.3 left arrow 4.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 3.1
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    95 left arrow 47
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4.2 left arrow 9.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.1 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    635 left arrow 1413
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RAM 1
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