Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Unterschiede

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 11.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 41
    Rund um -32% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 7.2
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.8 left arrow 11.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.2 left arrow 8.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1988 left arrow 2066
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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