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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    47 left arrow 95
    周辺 -102% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 4.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.9 left arrow 3.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    95 left arrow 47
  • 読み出し速度、GB/s
    4.2 left arrow 9.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.1 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    635 left arrow 1413

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