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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

总分
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ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB

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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

差异 规格 评论

差异

ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB 需要考虑的原因
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 95
    左右 -164% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15 left arrow 4.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.6 left arrow 3.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    95 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    4.2 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    3.1 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    635 left arrow 2247

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