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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.0
15.4
写入速度,GB/s
7.2
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2758
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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