RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2708
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link