RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 10.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 51
    Около -76% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15.8 left arrow 15.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 10.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2687 left arrow 2708

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
модули RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
модули RAM