RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
9.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1773
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Unigen Corporation U51U6411P8DU-BD1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link