RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1773
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link