RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
9.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
51
Por volta de -28% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
40
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
9.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1773
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link