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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
51
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
29
Velocità di lettura, GB/s
15.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
2708
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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