RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
77
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2416
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link