RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2971
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link