RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3540
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link