RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3663
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link