Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Puntuación global
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Puntuación global
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InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 43
    En -34% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16 left arrow 11.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.5 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 16.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 10.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1823 left arrow 2714
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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