RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.4
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2238
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link