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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2537
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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