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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2434
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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