RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2620
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link