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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3628
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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