RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3360
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link