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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
2867
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
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