RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3036
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link