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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
59
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
2181
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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