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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Golden Empire CL7-7-7 2GB

Puntuación global
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Puntuación global
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Golden Empire CL7-7-7 2GB

Golden Empire CL7-7-7 2GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Razones a tener en cuenta
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 29
    En 21% menor latencia
Golden Empire CL7-7-7 2GB Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.6 left arrow 11.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.9 left arrow 5.6
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL7-7-7 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    23 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.6 left arrow 12.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.6 left arrow 8.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1751 left arrow 2354

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Memoria RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Memoria RAM
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Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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