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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
63
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2469
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
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