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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
43
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3282
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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