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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
54
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
54
Velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3260
1611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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