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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
7.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
54
Velocidade de leitura, GB/s
17.5
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
14.6
7.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3260
1611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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