RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
54
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3260
1611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link