Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

総合得点
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 54
    周辺 57% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 7.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    17.5 left arrow 7.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.6 left arrow 7.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    3260 left arrow 1611
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