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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
54
Autour de 57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
54
Vitesse de lecture, GB/s
17.5
7.6
Vitesse d'écriture, GB/s
14.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3260
1611
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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