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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2786
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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