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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
25
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2929
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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