RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
25
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2929
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link