RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2505
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link