RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2505
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link