RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2719
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link