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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
24
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2719
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB Confronto tra le RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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