RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3193
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link