RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link