RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3040
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link